在三星上周纸面预览了其3nm工艺后，台积电也毫不示弱，业内人士称，台积电年底前会敲定南部科技园的30公顷土地（30万平米），随后启动3nm晶圆厂的建设。
目前，台积电的12寸超大晶圆厂有六座，分别是总部及晶圆十二A厂、研发中心及十二B厂、晶圆十四厂、晶圆十五厂、晶圆十六厂（南京）和晶圆十八厂。
在7nm世代取得大捷后，台积电在上周的财报会议上表示，5nm的进度比7nm更顺利，产能也会提至新高。
关于3nm的技术细节，台积电尚未披露。至少三星方面称，FinFET（鳍式场效晶体管，华人科学家、前台积电CTO胡正明教授发明）会在4nm LPE之后走到尽头。他们提出的新解决方案是GAA MCFET（多桥通道FET），且有3 GAAE（GAA Early）和3 GAAP（GAA Plus）两代。
2010年，Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头，胡正明发明的FinFET和FD-SOI工艺。
