首页 > 科技 > 正文

Holst Center采用sALD在PEN箔上创建IGZO OLED显示器背板

来源:东方头条编辑:中经财讯网2019-11-24 00:02:20分享
摘要:荷兰Holst Center研究人员采用空间原子层沉积(sALD)技术,在薄膜晶体管(TFT)氧化物-TFT(IGZO)

荷兰Holst Center研究人员采用空间原子层沉积(sALD)技术,在薄膜晶体管(TFT)氧化物-TFT(IGZO)显示器背板上同时创建半导体层和介电层。

研究人员在薄的PEN箔上创建了200 PPI的QVGA OLED显示器原型。这展示了如何在廉价的透明塑料箔片上使用sALD在低温工艺(低于200摄氏度)下生产TFT。TFT的迁移率达到8 cm2/V2,通道长度降至1μm。

sALD设备由Holst Center开发,并由从Holst衍生出来的初创公司SALDtech进行商业化。 SALDtech当前提供1代(320x250 mm)工具,目前正在开发生产设备。

相关阅读

新闻总排行

图片新闻

本月排行

@copyright 2016 - 2019 http://www.fhcjwa.com/ 丰和财经网 版权所有