11月24日，第三届中国MEMS智能传感器产业发展高峰论坛在安徽蚌埠召开。论坛期间，中国兵器工业集团有限公司第二一四研究所召开了“MEMS成套工艺及高性能惯性传感器”产品发布会，正式推出了“基于微晶玻璃键合的SOI体硅工艺”“基于TSV-SOI的体硅工艺”等4套MEMS工艺体系。该工艺具有全硅低应力、亚微米高精度和晶圆级高真空封装等三大技术特色，可为用户提供一站式、全方位技术服务。
同时，该所还发布了12款高性能MEMS惯性传感器。此次发布的12款高性能MEMS惯性传感器包含高性能MEMS陀螺仪、高性能MEMS加速度计和特种装置用大量程MEMS开关三类。其中高性能MEMS陀螺仪产品4款，量程覆盖范围400°/s-4000°/s，零偏稳定性（10s平滑）（1σ）优于1°/h；高性能MEMS加速度计3款，量程覆盖范围±2g-±100g，零偏稳定性（10s平滑）（1σ）小于20μg；特种装置用大量程MEMS开关产品5款，量程覆盖5000g、20000g及以上。此次发布的12款高性能MEMS惯性传感器，其敏感结构及配套ASIC电路，为全国产化自主设计和生产，产品通过了中国仪器仪表学会组织的新产品鉴定，具有动态范围大、精度高、高量程、抗高过载能力强等优点。
